01 / 选择机型
束线结构与能量/剂量窗口为教学示意
离子源 Ion Source
气体源 Gas Source
引出电极/预加速 Extraction
磁分析器 AMU
质量分析狭缝 Slit
离子加速柱 Accel Column
高压加速管 HV Tube
磁四极透镜 Quad Lenses
电子扫描 Scanning
晶圆台 Wafer Chuck
束流：待机晶圆：未装载
晶圆搬送路径 · Wafer Handler（FOUP → Load Lock → Orient → Platen）
模拟控制
Simulation · Recipe晶圆注入 · 3D 俯视示意HIGH ENERGY
束流模式待机
扫描状态OFF
目标剂量档中档
黄色轨迹代表离子束的概念示意；橙色点表示注入后的掺杂离子分布，不代表真实浓度、晶向效应或射程计算结果。
注入深度 · 材料截面放大SCHEMATIC
能量档位（影响射程趋势）中档
入射离子掺杂分布示意硅基底
教学趋势：在其他条件相近时，能量提高通常使离子平均射程增加；剂量主要影响注入数量。实际射程还取决于离子种类、材料、晶向与工艺条件。
束流电流示波器
模拟波形束流电流（相对值）0.00
模拟 WPH（片/小时）0
turn beam 把束流电流调高后，单位时间注入离子越多，达到目标剂量越快，WPH 越高。
随机出现异常波形导致 TURN BEAM FAIL
模拟进度
虚拟传感器模拟进度0%
模拟束流状态OFF
剂量累计示意0%
晶圆状态待机
程序解读
七段式命名教学剂量读法：前3码取"第1码.后2码"为尾数，E 后数字为 10 的指数个位（十位隐含为1），如 140E3 = 1.4×10¹³ 个/cm²。
02 / 工艺流程状态
0 / 6 步步骤讲解
等待开始…
离子注入工艺五步
教学离子注入工艺五步（教学）
① 离子源产生所需元素的离子
→
② 质量分析磁分析器筛选目标离子
→
③ 加速电场赋予离子最终能量
→
④ 扫描与注入束流均匀轰击晶圆表面
→
⑤ 退火*修复损伤，激活杂质
*退火在炉管/扩散设备中完成，本模拟器未建模。